报告人：王守国教授
报告时间：2019年12月2日上午9:45
报告地点：材料楼516
报告对象：新葡的京集团350vip8888及全校感兴趣的师生
主办单位：新葡的京集团350vip8888
内容简介：
以调控电子自旋本征属性为基础的自旋电子学，是自1988年发现巨磁电阻效应（GMR）以来三十年来凝聚态物理、材料科学和信息科学的研究热点之一。随着隧穿磁电阻效应（TMR）、自旋转移矩效应（STT）、自旋塞贝克效应（Spin Seebeck）、磁性斯格明子（Skyrmions）等新现象、新效应和新结构的发现，自旋电子学材料获得了更加广泛的应用（例如计算机硬盘读写头、磁性随机存储器）。但随着超高磁信息存储技术的发展，自旋电子学也面临着材料和物理等方面的诸多挑战。报告人首先介绍自旋电子学最新进展以及所面临的挑战，主要包括超高存储密度、超高热稳定性以及如何突破二组态存储的技术瓶颈；随后重点介绍本课题组在Fe/MgO/Fe面内磁性隧道结、L10-FePt/MgO/FePt垂直磁性隧道结和[Co/Pt]n/MgO/[Co/Pt]n霍尔天平等体系的研究进展，包括霍尔天平材料中的磁性斯格明子研究；最后介绍利用我国科学家独创的深紫外激光（DUV激光）作为激发源在PEEM系统（简称为DUV-PEEM系统）中开展高分辨磁成像的最新进展。
个人介绍：
王守国，男，安徽舒城人，北京科技大学新葡的京集团350vip8888教授、博士生导师。1996年毕业于安徽大学，获理学学士学位；随后进入中科院固体物理研究所攻读博士学位，师从中国科技大学张裕恒院士（中科院固体物理所兼职教授）。2001年至2007年，先后在新加坡国立大学、德国马克思-普朗克微结构物理研究所和英国牛津大学从事研究工作。2007年底回国，加入中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室。2016年1月，调入北京科技大学新葡的京集团350vip8888。主持的项目主要包括：国家杰出青年基金；基金委重点项目；中科院仪器研制项目；科技部国家重大科学仪器设备开发专项子课题；科技部中国-以色列国际合作项目以及基金委面上项目等。目前担任中国电子学会应用磁学分会副主任委员兼秘书长；中国材料研究学会纳米材料与器件分会副秘书长；中国金属学会功能材料分会副秘书长；中国金属学会材料科学分会常务理事；中国材料研究学会青年工作委员会常务理事等。
